海特高新(002023.CN)

小米10拉动GaN概念 富满电子、海特高新涨停 三安光电涨超5%

时间:20-02-14 11:30    来源:格隆汇

格隆汇2月14日丨在昨日小米10的新品直播发布会上,小米正式发布了小米GaN充电器Type-C 65W,今日A股市场GaAs/GaN概念股有所表现。
其中,富满电子、海特高新(002023)涨停,云南锗业、三安光电、台基股份涨超5%。


氮化镓(GaN)是一种广为看好的新型半导体材料,具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点,用在充电器中更是具有高效率低发热、高功率小体积的优点,充电功率转换也比传统充电器更具优势。据悉,采取该技术的小米GaN充电器,最高支持65W疾速充电,搭配小米10 Pro可实现50W快充。在引起行业内外关注的同时,拉动了供应链上下游产业的活力。
在发布会现场上,雷军多次详细介绍该项技术的先进性。小米10系列以及GaN充电器的发布,刺激并激活了行业信心,得到行业分析师、资方及相关企业关注。相关产业链的工作人员称,这都要感谢雷总。
当天,多家券商电子行业研究人员,紧急组织电话会议,基于这款采用氮化镓(GaN)技术充电器的发布,特邀行业专家,详细解读行业技术趋势和投资机会。同时,格隆汇平台昨天也发布了《研报掘金丨掘金:第三代半导体材料能为生活带来怎样的便利?》。
行业人士分析,三安光电、闻泰科技(600745.SH)、富满电子(300671.SZ)等标的受到重点关注。其中,今年2月3日,三安光电还在投资者交流平台上表示,公司目前氮化镓(GaN)产能约2000片每月,产能还在增加。
市场普遍认为,氮化镓(GaN)是未来最具增长潜质的化合物半导体,与GaAs和InP等高频工艺相比,氮化镓(GaN)器件输出的功率更大;与LDCMOS和SiC等功率工艺相比,氮化镓(GaN)的频率特性更好。
同时,市场还预期,随着5G网络应用的日益临近,将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体技术)和GaAs(砷化镓)解决方案,GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。预计到2025年,GaN还将主导射频功率器件市场,抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。
采用氮化镓材料后,小米充电器USB-C 65W的体积比小米笔记本标配的适配器缩小了48%,携带更方便,搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率,45分钟即可充入100%。