海特高新(002023.CN)

海特高新:公司已经研发出0.25um GaN、0.5um GaN的技术以及硅基氮化镓技术

时间:20-04-08 16:40    来源:同花顺

同花顺(300033)金融研究中心4月8日讯,有投资者向海特高新(002023)(002023)提问, 下一代以SiC、GaN器件为代表的宽禁带功率半导体器件的应用前景广泛,国产替代前景大,公司是否有相关技术和合作;公司的相关器件在新能源产业方面能否存在应用空间;海威华芯与股东二十九研究所关联交易大的问题,是否是公司毛利率较低的原因。

公司回答表示,SiC、GaN器件为代表的宽禁带功率半导体器件的应用前景广泛,包括射频和电力电子方向(新能源产业),公司积极投入了GaN技术的研发,并已经研发出0.25um GaN、0.5um GaN的技术以及硅基氮化镓技术。

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